2019年，SMIC大规模生产了中国最先进的14纳米工艺，并已委托华为的麒麟710A处理器。目前，SMIC正重返a股上市，计划筹资200亿元，主要投资于14纳米等先进技术的开发。
6月7日晚，SMIC在上海证券交易所发布了对第一轮审计质询函的回复，仅用了4天时间，创下了新纪录。在6个类别和29个问题中，最引人注目的一个是披露新流程的细节。
SMIC表示，14纳米晶圆代工厂的生产能力处于初始布局阶段，因此全球份额相对较低。然而，第一代14纳米鳍式场效应晶体管技术已经进入大规模生产阶段，技术上处于国际领先水平，具有一定的性价比。目前，SMIC已与多家客户合作，预计产能利用率可保持在较高水平。
SMIC透露，利用其先进FinFET技术在晶圆上所制成的芯片，已应用于智能手机领域。虽未进一步明确，但显然指的就是华为麒麟710A。
在下一代技术节点的开发上，全球纯晶圆代工厂仅剩台积电、中芯国际两家，第二代FinFET技术目前已进入客户导入阶段，与第一代对比有望在性能上提高约20% ，功耗降低约60%。
SMIC表示，14纳米及以下的先进技术主要应用于5G、人工智能、智能驾驶和高速计算等新兴领域，未来发展前景广阔。然而，随着相关应用领域的不断发展，市场对先进技术的需求将继续上升，市场份额将继续扩大，成为集成电路晶圆代工市场新的增长点。
根据招股说明书披露，中芯国际本次计划发行不超过16.86亿股新股，预计募资200亿元人民币，计划分别投入中芯南方正在进行的12英寸芯片SN1项目（80亿元）、先进及成熟工艺研发项目储备资金（40亿元）、补充流动资金（80亿元）。
其中，12英寸芯片SN1项目是中国大陆第一条14纳米及以下的先进生产线，计划月生产能力为35，000片，现已完成月生产能力为6，000片。
在此次调查中，SMIC进一步披露了募集资金投资项目的风险：1 .2英寸芯片SN1项目的总投资额为90.59亿元美元，其中生产设备购置及安装费达733016万美元。
SN1项目将在达到投产后日期后贡献额外的先进工艺收入，但同时将带来更高的折旧成本压力。随着14纳米生产线和下一代制造工艺的投产和扩大，公司在一定时期内将面临更大的折旧压力。这部分业务的毛利率可能低于公司的平均水平，存在经济效益达不到预期甚至产生大量损失的风险。
此外，SMIC还解释了R&D成本率远高于其同行的原因和合理性。数据显示2019年台积电、中芯国际、联华电子、华虹半导体的研发费用分别为211亿元、47亿元、27亿元、4亿元，相应占营收比重分别为9%、22%、8%、7%。
SMIC表示，为了加强先进制造工艺的技术实力，公司不断加大对先进制造工艺研发的投入。先后实现了28纳米HKC工艺和第一代14纳米FinFET工艺的研发和批量生产。第二代14纳米鳍片场效应晶体管工艺的研发也在稳步进行，并不断扩展其成熟的技术应用平台。因此，公司的研发成本率高于可比上市公司。
